内存芯片制造商美光科技（NASDAQ: MU）公布了2026财年第四季度（即2026年日历年第三季度）业绩，收入表现远超市场预期。当季销售额同比激增379%，达到542.3亿美元；非公认会计准则每股收益为33.42美元，较分析师共识预期高出5%。公司对下一季度的营收指引中值为615亿美元，比分析师预期高出6.8%，展现出强劲的增长势头。
核心财务数据亮点
- 营收：542.3亿美元，分析师预估为509.5亿美元（同比增长379%，超预期6.4%）。
- 调整后每股收益：33.42美元，分析师预估为31.82美元（超预期5%）。
- 调整后营业利润：446.4亿美元，分析师预估为422.8亿美元（利润率82.3%，超预期5.6%）。
- 下季度营收指引：中值615亿美元，高于分析师预估的575.7亿美元。
- 下季度EPS指引：中值38.15美元，高于分析师预估的36.01美元。
- 营业利润率：80.7%，较去年同期的32.3%显著攀升。
- 库存周转天数：131天，较上一季度的122天有所增加。
- 市值：1.2万亿美元。
AI需求与供应约束塑造增长逻辑
美光本季度业绩超越华尔街预期，主要得益于人工智能基础设施需求的激增以及有利的产品结构。管理层指出，高带宽内存（HBM）的强劲采用率以及全行业供应紧张，共同推动了价格上涨和利润率提升。总裁兼首席运营官Manish Bhatia强调，客户对DRAM和NAND产品做出重大承诺，先进内存解决方案已成为“释放AI应用潜力与承诺的关键推动力”。
展望未来，美光的强劲指引建立在持续的AI驱动内存需求之上，特别是HBM领域，且公司拥有延伸至2028年及以后的长期供应协议。首席财务官Mark Murphy表示，随着公司应对供应限制并加速厂房建设以满足未来产能需求，有望维持强劲的财务表现。技术领先地位，尤其是在下一代DRAM节点及与英伟达等合作伙伴共同开发定制HBM方面的进展，将是维持增长的核心。
关键驱动因素洞察
- AI基础设施催化需求：AI工作负载的快速普及成为主要催化剂，服务器和数据中心客户增加了对先进DRAM和HBM产品的需求，以支持代理式AI和高性能计算应用。
- HBM份额扩张：HBM出货量增速快于传统DRAM，在行业产能中的份额日益增长。美光通过与英伟达联合设计，在HBM4E开发方面取得重大进展，稳固了其在AI硬件供应链的前沿地位。
- 长期协议锁定：美光扩大了涵盖DRAM和NAND的长期供应承诺（SCA），期限延伸至2030年。这些协议提供了价格透明度，使公司能在AI加速采用的背景下，将生产与预期需求精准对齐。
- 供应增长受限：受限于洁净室空间不足及技术转型回报递减等结构性因素，行业供应增长受限。尽管新厂房投资正在进行，但实质性产能增加预计要到2028年底及以后才会显现。
- 产品组合高端化：尽管部分移动和客户领域的位元出货量下降，但旗舰智能手机和PC产品向高端转型及定价提升，支持了收入增长和盈利能力。
未来展望与风险
美光的前景由AI中心需求、先进内存产品扩展以及供应纪律共同驱动。公司正优先推进下一代HBM和DRAM节点的开发与量产，并通过与英伟达等客户的持续合作巩固市场地位。在产能方面，新厂房建设虽在加速，但需数年时间才能影响位元供应，这种与客户承诺挂钩的投资策略有助于降低供过于求的风险。
尽管美光在DRAM技术上据报领先中国竞争对手至少两代，并正投资基于EUV的DRAM节点以减少对华销售暴露，但管理层仍承认地缘政治及竞争动态带来的持续风险。后续季度需重点关注HBM4E等新一代产品的客户采用情况、厂房建设进度对供应的影响，以及长期供应协议的签署进展。