中国DRAM龙头长鑫存储（CXMT）已宣布启动第五代DRAM工艺技术（G5）的量产。
长鑫存储表示，G5工艺采用多重曝光光刻技术，将DRAM有源区半节距缩小至11.95纳米（对应有源区节距23.9纳米），这一尺寸处于先进10纳米级DRAM技术范围内，但不能直接等同于传统DRAM节点命名。此外，通过针对DRAM优化的高K金属栅极（HKMG）工艺，核心单元阵列高度被降低至6,762纳米。
在存储电容器方面，该公司通过修改工艺流程并引入新材料，实现了约45:1的深宽比。这意味着电容器深度是宽度的45倍，有助于减小单元面积、在晶圆上容纳更多内存阵列并实现可预测的容量输出。尽管SK海力士曾指出，当DRAM关键尺寸降至10纳米以下时，电容器深宽比需超过100:1，但长鑫存储的这一进展仍意味着其在蚀刻、沉积及机械稳定性等高难度制造环节取得了突破。
首批基于G5工艺量产的产品为24Gb LPDDR5X芯片。相比此前同类产品，其容量提升50%，并提供两种封装格式以适配不同移动设备设计。目前，该系列产品已进入中国主流旗舰智能手机供应链。
技术解析与市场定位
对于G5工艺的技术指标，需注意以下几点：
首先，长鑫存储公布的11.95纳米为有源区半节距，而非传统工艺节点。因此，将G5简称为“12纳米工艺”并不完全准确。
其次，仅凭物理尺寸无法断定其技术与美光、三星和SK海力士的最新工艺持平。DRAM的性能还取决于密度、电容缩放、晶体管特性、功耗以及至关重要的良率。
第三，长鑫存储称G5工艺每晶圆毛片数较G4增加至少50%。但在未披露具体良率、合格芯片数量及每比特实际制造成本的情况下，这一数据的实际生产力提升幅度尚难精确评估。尽管如此，实现11.95纳米级DRAM节点的量产仍是一项显著的技术成就。