据媒体报道，台积电正考虑进入先进内存芯片制造领域，并已应最大客户英伟达的要求，着手制定3D DRAM（动态随机存取存储器）的生产计划。此举旨在缓解AI需求激增引发的内存短缺，但也意味着台积电将直接挑战三星、SK海力士和美光等传统内存巨头。
3D DRAM技术通过垂直堆叠存储单元以提升容量。据悉，该项目由台积电负责先进封装的副总裁徐学仁领导。关于产能布局，台积电既可能新建工厂，也可能收购并改造现有设施。目前，台积电与英伟达均未回应置评请求。
AI引发内存危机，客户寻求供应链自主
AI数据中心对内存的巨大消耗导致供应紧张、价格飙升。美光科技预计，这一短缺状况将持续至2028年。受内存成本上涨影响，苹果已于今年6月上调Mac和iPad售价。为降低对单一供应商的依赖，部分科技巨头正寻求建立自有供应渠道，例如埃隆·马斯克计划投资550亿美元建设芯片工厂，以减少对美光的依赖。
从代工到制造，台积电步步深入内存领域
台积电向内存领域的渗透早有迹象。今年10月，英伟达曾要求三星、SK海力士和美光采用台积电的3nm工艺，为其定制高带宽内存（HBM）构建底层基础。若台积电最终决定自行制造DRAM，将与上述三家行业巨头形成直接竞争关系。其中，SK海力士已计划投入7200亿美元建设新工厂以巩固其市场地位。