长鑫存储拟推4F²架构挑战韩厂，三星SK海力士股价承压

中国最大国产DRAM制造商长鑫存储（CXMT）宣称研发出新型存储单元架构，能在更小硅片面积上容纳更多数据，有望对三星电子和SK海力士构成挑战。

据媒体报道，长鑫存储总裁曹砚羽在上海近期举行的行业会议上表示，公司计划于2026年底前推出基于4F²架构的新款服务器内存产品。若该架构能实现具备商业可行性的量产良率，将有助于缩小与韩国内存厂商在类似设计探索上多年形成的差距。

传统6F² DRAM架构的存储单元面积相当于最小特征尺寸平方的六倍，而4F²设计将其缩减为四倍，有望提高内存密度并降低制造成本。长鑫存储表示，其采用环绕栅极（Vertical Surrounding Gate）技术，通过改变晶体管排列方式，减少漏电及进一步微型化带来的相关问题。

此次公告正值长鑫存储在多个内存领域取得进展之际。上月，该公司宣布第五代DRAM平台G5实现量产，并推出基于该工艺的24Gb LPDDR5X芯片。长鑫存储称，该平台实现11.95纳米有源区半节距，每片晶圆产出的裸片数量较前代至少增加50%。

同月早些时候，长鑫存储宣布LPDDR6内存实现量产，并在小米发布的18 Fold旗舰智能手机中首次商用。内部测试数据显示，LPDDR6峰值数据传输速率达每秒12,800兆比特，带宽较上一代LPDDR5X提升高达60%，功耗降低20%。

长鑫存储的进步给竞争激烈的内存市场带来压力。在AI数据中心需求推动下，内存价格持续上涨，各大制造商纷纷扩大产能。今年7月，长鑫存储在上海IPO融资约86亿美元，第二季度其全球DRAM营收份额达到9.5%。但在驱动AI加速器的HBM（高带宽内存）领域，其仍落后于三星和SK海力士等领先厂商。

10月13日，三星和SK海力士在韩国股市跌幅均超过7%，美光科技在美国交易时段亦出现下跌。媒体指出，此次抛售部分源于投资者对长鑫存储公告的反应，同时也受到对AI投资回报担忧的影响，半导体板块整体承压。