日本存储制造商铠侠（Kioxia）发布了升级版GP系列固态硬盘，其随机读取性能超过每秒2000万次操作（IOPS），较上一代产品实现翻倍。据悉，这款新驱动器采用第三代XL-FLASH技术，将于10月12日至16日在加利福尼亚州圣何塞举行的开放计算项目（OCP）全球峰会上进行演示。
这一性能表现较今年8月发布的GP1产品（约1000万IOPS）有显著提升。该峰值数据针对的是512字节数据块的随机读取操作，远小于传统固态硬盘基准测试中常用的4KB规模。铠侠旨在服务于需要海量小数据访问的工作负载场景，解决传统闪存存储在此类场景中性能不足的问题。
技术架构与能效提升
第三代XL-FLASH技术通过架构改进降低延迟并提高并行处理能力。更短的字线和位线减少了电气延迟，每个存储芯片内增加的平面数量则允许同时处理更多操作。铠侠声称，与上一代XL-FLASH相比，新技术将读取性能提升了三倍，写入性能提高了约150%。在能效方面，预计读取提升约40%，写入提升约80%，但实际功耗取决于具体运行条件。
GP系列架构旨在支持英伟达的“Storage-Next”计划，该计划致力于让图形处理器更快访问基于闪存的存储。其核心理念是用更大、更便宜的存储层级补充昂贵的高带宽内存，尽管闪存速度仍远低于传统GPU内存。铠侠已制定路线图，目标是通过未来的GP系列技术实现每秒1亿次IOPS，这可能需要PCIe 7.0等技术的支持。
企业级新品与液冷方案
与此同时，铠侠推出了面向超大规模数据中心的LD4系列企业级固态硬盘。该系列采用细长的E1.L外形规格，搭载第八代BiCS FLASH技术，具备218层QLC NAND闪存。初期提供15.36TB和30.72TB两种容量，架构设计可扩展至122.88TB。LD4系列采用PCIe 5.0 x4接口，支持NVMe 2.0协议及端到端数据保护功能。虽然尚未公布性能和耐久性数据，但其QLC NAND技术表明容量和存储密度是首要考量。
在同一活动上，铠侠还将展示其液冷NX1系列E1.S NVMe驱动器，以应对高密度数据中心日益增长的散热需求。随着厂商在受限服务器环境中部署更快接口，液冷技术正变得更具吸引力。
目前，铠侠尚未宣布升级版GP系列驱动器的商业发售日期或价格，2000万IOPS的数据仍为厂商宣称指标，有待独立测试验证。该技术将在OCP全球峰会首次亮相，展示其最新存储发展成果。